GB10SLT12-252 데이터 시트
GB10SLT12-252 데이터 시트
총 페이지: 7
크기: 635.54 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
GB10SLT12-252
|
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 250µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 520pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
