GD25VE32CVIGR 데이터 시트
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제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.1V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 8-VSOP |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.1V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.1V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-USON (2x3) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.1V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.1V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-USON (2x3) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NOR 메모리 크기 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.1V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x8) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x8) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 2V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x8) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 2V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x8) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x8) |
제조업체 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 SPI - Quad I/O 시계 주파수 120MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x8) |
