HAT2131R-EL-E 데이터 시트
HAT2131R-EL-E 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 137.07 KB
Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
HAT2131R-EL-E
|
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 350V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 450mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
