HGTD1N120BNS9A 데이터 시트
HGTD1N120BNS9A 데이터 시트
총 페이지: 10
크기: 217.31 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
HGTD1N120BNS9A
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 5.3A 전류-수집기 펄스 (Icm) 6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A 전력-최대 60W 에너지 전환 70µJ (on), 90µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 14nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 15ns/67ns 테스트 조건 960V, 1A, 82Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252AA |
