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HS8K11TB 데이터 시트

HS8K11TB 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
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HS8K11TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.9mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

HSML3030L10