IPD50R1K4CEBTMA1 데이터 시트
IPD50R1K4CEBTMA1 데이터 시트
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Infineon Technologies
웹 사이트: https://www.infineon.com
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
IPD50R1K4CEBTMA1
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ CE FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 178pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 25W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
