IPP45P03P4L11AKSA1 데이터 시트
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (최대) +5V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3770pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 58W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (최대) +5V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3770pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 58W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
