Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트

IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트
총 페이지: 13
크기: 1,219.49 KB
Infineon Technologies
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: IPU80R2K0P7AKMA1
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 1
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 2
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 3
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 4
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 5
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 6
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 7
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 8
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 9
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 10
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 11
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 12
IPU80R2K0P7AKMA1 데이터 시트 페이지 13
IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 940mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

175pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

24W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO251-3

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA