IRF6100 데이터 시트
IRF6100 데이터 시트
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Infineon Technologies
웹 사이트: https://www.infineon.com
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
IRF6100
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1230pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-FlipFet™ 패키지 / 케이스 4-FlipFet™ |
