IRF6702M2DTRPBF 데이터 시트
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 15V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MA |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1380pF @ 15V 전력-최대 2.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MA 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MA |