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IRF7524D1GTRPBF 데이터 시트

IRF7524D1GTRPBF 데이터 시트
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Infineon Technologies
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IRF7524D1GTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

FETKY™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 15V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.25W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-uSMD

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)