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IRF7737L2TRPBF 데이터 시트

IRF7737L2TRPBF 데이터 시트
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Infineon Technologies
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IRF7737L2TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Ta), 156A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 94A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

134nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5469pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET L6

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric L6