IRFH4226TRPBF 데이터 시트
IRFH4226TRPBF 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 503.35 KB
Infineon Technologies
웹 사이트: https://www.infineon.com
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
IRFH4226TRPBF
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 FASTIRFET™, HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 13V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.4W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |