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IRFH7191TRPBF 데이터 시트

IRFH7191TRPBF 데이터 시트
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Infineon Technologies
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IRFH7191TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

FASTIRFET™, HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 48A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1685pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN