Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

IRFM220BTF_FP001 데이터 시트

IRFM220BTF_FP001 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 727.8 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: IRFM220BTF_FP001
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 1
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 2
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 3
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 4
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 5
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 6
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 7
IRFM220BTF_FP001 데이터 시트 페이지 8
IRFM220BTF_FP001

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 570mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA