IS61DDB22M18A-250M3L 데이터 시트
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 8.4ns 전압-공급 1.71V ~ 1.89V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-LFBGA (13x15) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 8.4ns 전압-공급 1.71V ~ 1.89V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-LFBGA (13x15) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, DDR II 메모리 크기 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 8.4ns 전압-공급 1.71V ~ 1.89V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-LFBGA (13x15) |
