IS61LV12824-8BL-TR 데이터 시트
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 8ns 접근 시간 8ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ns 접근 시간 10ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 3Mb (128K x 24) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 8ns 접근 시간 8ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
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