IS62WV102416GALL-55TLI 데이터 시트
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 1.65V ~ 2.2V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 2.2V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 1.65V ~ 2.2V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지 48-TSOP I |
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