IS64LF12836EC-7.5B3LA3 데이터 시트
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-TBGA 공급자 장치 패키지 165-TFBGA (13x15) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4Mb (128K x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-TBGA 공급자 장치 패키지 165-TFBGA (13x15) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4Mb (128K x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (256K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (256K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-LQFP (14x20) |