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ISL83202IBZT 데이터 시트

ISL83202IBZT 데이터 시트
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Renesas Electronics America Inc.
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: ISL83202IBZT, ISL83202IPZ, ISL83202IBZ
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ISL83202IBZT

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

70V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 9ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

ISL83202IPZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

70V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 9ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

ISL83202IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

70V

상승 / 하강 시간 (일반)

9ns, 9ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC