IX4424G 데이터 시트
IX4424G 데이터 시트
총 페이지: 20
크기: 11,705.98 KB
IXYS Integrated Circuits Division
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
IX4424G, IXFJ80N25X3
|
제조업체 IXYS Integrated Circuits Division 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT 전압-공급 4.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 18ns, 18ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 83nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5430pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ISO TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
