IXBX75N170A 데이터 시트
![IXBX75N170A 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/20/ixbx75n170a-0001.webp)
![IXBX75N170A 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/20/ixbx75n170a-0002.webp)
![IXBX75N170A 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/20/ixbx75n170a-0003.webp)
![IXBX75N170A 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/20/ixbx75n170a-0004.webp)
![IXBX75N170A 데이터 시트 페이지 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/20/ixbx75n170a-0005.webp)
![IXBX75N170A 데이터 시트 페이지 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/20/ixbx75n170a-0006.webp)
제조업체 IXYS 시리즈 BIMOSFET™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대) 110A 전류-수집기 펄스 (Icm) 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A 전력-최대 1040W 에너지 전환 3.8mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 358nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 26ns/418ns 테스트 조건 1360V, 42A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 360ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 |
제조업체 IXYS 시리즈 BIMOSFET™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대) 110A 전류-수집기 펄스 (Icm) 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 42A 전력-최대 1040W 에너지 전환 3.8mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 358nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 26ns/418ns 테스트 조건 1360V, 42A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 360ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지 TO-264 |