IXFK48N60Q3 데이터 시트
|
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 140nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7020pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1000W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 140nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7020pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1000W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
