IXFN150N65X2 데이터 시트
|
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 145A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 355nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 21000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1040W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227B 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
