IXFN50N120SK 데이터 시트
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 115nC @ 20V Vgs (최대) +20V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1895pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227B 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
