KA317MTU 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 출력 구성 Positive 출력 유형 Adjustable 조절기 수 1 전압-입력 (최대) 40V 전압-출력 (최소 / 고정) 1.2V 전압-출력 (최대) 37V 전압 드롭 아웃 (최대) - 전류-출력 500mA 전류-대기 (Iq) - 전류-공급 (최대) - PSRR 80dB ~ 65dB (120Hz) 제어 기능 - 보호 기능 Over Temperature, Short Circuit 작동 온도 0°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 출력 구성 Positive 출력 유형 Adjustable 조절기 수 1 전압-입력 (최대) 40V 전압-출력 (최소 / 고정) 1.2V 전압-출력 (최대) 37V 전압 드롭 아웃 (최대) - 전류-출력 500mA 전류-대기 (Iq) - 전류-공급 (최대) - PSRR 80dB ~ 65dB (120Hz) 제어 기능 - 보호 기능 Over Temperature, Short Circuit 작동 온도 0°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 출력 구성 Positive 출력 유형 Fixed 조절기 수 1 전압-입력 (최대) 35V 전압-출력 (최소 / 고정) 10V 전압-출력 (최대) - 전압 드롭 아웃 (최대) - 전류-출력 1A 전류-대기 (Iq) - 전류-공급 (최대) - PSRR - 제어 기능 - 보호 기능 Over Temperature, Short Circuit 작동 온도 0°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 출력 구성 Positive 출력 유형 Fixed 조절기 수 1 전압-입력 (최대) 35V 전압-출력 (최소 / 고정) 10V 전압-출력 (최대) - 전압 드롭 아웃 (최대) - 전류-출력 1A 전류-대기 (Iq) - 전류-공급 (최대) - PSRR - 제어 기능 - 보호 기능 Over Temperature, Short Circuit 작동 온도 0°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 출력 구성 Positive 출력 유형 Fixed 조절기 수 1 전압-입력 (최대) 35V 전압-출력 (최소 / 고정) 10V 전압-출력 (최대) - 전압 드롭 아웃 (최대) - 전류-출력 1A 전류-대기 (Iq) - 전류-공급 (최대) - PSRR - 제어 기능 - 보호 기능 Over Temperature, Short Circuit 작동 온도 0°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 출력 구성 Positive 출력 유형 Fixed 조절기 수 1 전압-입력 (최대) 35V 전압-출력 (최소 / 고정) 10V 전압-출력 (최대) - 전압 드롭 아웃 (최대) 2V @ 1A (Typ) 전류-출력 1A 전류-대기 (Iq) 8mA 전류-공급 (최대) - PSRR 71dB (120Hz) 제어 기능 - 보호 기능 Over Temperature, Short Circuit 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 330V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 330V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 510pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 72W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 440V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 800mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 7 @ 2.5A, 2V 전력-최대 50W 주파수-전환 4MHz 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 3A, 1V 전력-최대 1.5W 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
