KSD227GTA 데이터 시트
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 50mA, 1V 전력-최대 400mW 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 1V 전력-최대 400mW 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 1V 전력-최대 400mW 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 50mA, 1V 전력-최대 400mW 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |