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KSD362RTU 데이터 시트

KSD362RTU 데이터 시트
총 페이지: 4
크기: 61.56 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: KSD362RTU, KSD362N, KSD362R
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KSD362RTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

KSD362N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

KSD362R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3