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LSIC1MO120E0120 데이터 시트

LSIC1MO120E0120 데이터 시트
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Littelfuse
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LSIC1MO120E0120

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 20V

Vgs (최대)

+22V, -6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1125pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

139W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3