Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

MGSF1P02LT1 데이터 시트

MGSF1P02LT1 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 82.08 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: MGSF1P02LT1
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 1
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 2
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 3
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 4
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 5
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 6
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 7
MGSF1P02LT1 데이터 시트 페이지 8
MGSF1P02LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

130pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3