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MJ11016 데이터 시트

MJ11016 데이터 시트
총 페이지: 4
크기: 115.83 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: MJ11016, MJ11012G, MJ11015G, MJ11016G
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MJ11016 데이터 시트 페이지 4
MJ11016

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204 (TO-3)

MJ11012G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204 (TO-3)

MJ11015G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204 (TO-3)

MJ11016G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 300mA, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 20A, 5V

전력-최대

200W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-204 (TO-3)