MJ11030G 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V 전력-최대 300W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AE 공급자 장치 패키지 TO-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V 전력-최대 300W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AE 공급자 장치 패키지 TO-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V 전력-최대 300W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AE 공급자 장치 패키지 TO-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V 전력-최대 300W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AE 공급자 장치 패키지 TO-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V 전력-최대 300W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AE 공급자 장치 패키지 TO-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V 전력-최대 300W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-204AE 공급자 장치 패키지 TO-3 |
