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MMIX1F180N25T 데이터 시트

MMIX1F180N25T 데이터 시트
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IXYS
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: MMIX1F180N25T
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제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

132A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

364nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

570W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

24-SMPD

패키지 / 케이스

24-PowerSMD, 21 Leads