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MPS3563G 데이터 시트

MPS3563G 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 46.49 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: MPS3563G, MPS3563, MPS918G, MPS918
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MPS3563G 데이터 시트 페이지 2
MPS3563G 데이터 시트 페이지 3
MPS3563G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

이득

14dB @ 200MHz

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

MPS3563

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

이득

14dB @ 200MHz

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

MPS918G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

600MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MPS918

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전력-최대

350mW

주파수-전환

600MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3