MSC025SMA120J 데이터 시트
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 77A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 232nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3020pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 278W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227 (ISOTOP®) 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D3Pak 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 103A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 232nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3020pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 137nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1990pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 208W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227 (ISOTOP®) 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 166A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D3Pak 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 35A 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SOT-227 (ISOTOP®) 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D3Pak 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 55W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 131A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 215nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4500pF @ 700V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 400W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D3Pak 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
