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MSRTA60080(A) 데이터 시트

MSRTA60080(A) 데이터 시트
총 페이지: 2
크기: 420.28 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: MSRTA60080(A), MSRTA60060(A), MSRTA600100(A)
MSRTA60080(A) 데이터 시트 페이지 1
MSRTA60080(A) 데이터 시트 페이지 2
MSRTA60080(A)

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MSRTA60060(A)

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MSRTA600100(A)

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

3-SMD Module

공급자 장치 패키지

Three Tower