MT41J512M8THD-187E:D 데이터 시트
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Micron Technology Inc.
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 13.125ns 전압-공급 1.425V ~ 1.575V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (9x11.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 13.5ns 전압-공급 1.425V ~ 1.575V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (9x11.5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3 메모리 크기 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.425V ~ 1.575V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (9x11.5) |
