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MTZJT-725.1B 데이터 시트

MTZJT-725.1B 데이터 시트 페이지 1
MTZJT-725.1B 데이터 시트 페이지 2
MTZJT-725.1B 데이터 시트 페이지 3
MTZJT-725.1B 데이터 시트 페이지 4
MTZJT-725.1B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-7216B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-779.1C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-779.1B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-778.2C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-778.2B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-777.5C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-777.5B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-777.5A

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-776.8C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-776.8B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

MTZJT-776.2C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD