MURT20020R 데이터 시트
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 100A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Three Tower 공급자 장치 패키지 Three Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 100A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Three Tower 공급자 장치 패키지 Three Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 100A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Three Tower 공급자 장치 패키지 Three Tower |
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 100A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Three Tower 공급자 장치 패키지 Three Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 200A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 100A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 50V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Three Tower 공급자 장치 패키지 Three Tower |
