NCD5703CDR2G 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT 전압-공급 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.75V, 4.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 7.8A, 6.8A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 9.2ns, 7.9ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT 전압-공급 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.75V, 4.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 7.8A, 6.8A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 9.2ns, 7.9ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT 전압-공급 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.75V, 4.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 7.8A, 6.8A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 9.2ns, 7.9ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
