NCP5109BMNTWG 데이터 시트
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 85ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 85ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 85ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 250mA, 500mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 85ns, 35ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
