NCP5359AMNR2G 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 30V 상승 / 하강 시간 (일반) 16ns, 15ns 작동 온도 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (2x2) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 30V 상승 / 하강 시간 (일반) 16ns, 15ns 작동 온도 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 30V 상승 / 하강 시간 (일반) 16ns, 15ns 작동 온도 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (2x2) |
