NCP81075MTTXG 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 8ns, 7ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-WDFN (4x4) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 8ns, 7ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (4x4) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 200V 상승 / 하강 시간 (일반) 8ns, 7ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
