NDB6020P 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1590pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1590pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
