NLAS3899BMNTXG 데이터 시트
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 스위치 회로 DPDT 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로 2:2 회로 수 2 온 상태 저항 (최대) 2.5Ohm 채널 대 채널 매칭 (ΔRon) 700mOhm 전압-공급, 단일 (V +) 1.65V ~ 4.3V 전압-공급, 이중 (V ±) - 스위치 시간 (Ton, Toff) (최대) 40ns, 30ns -3db 대역폭 280MHz 충전 주입 111pC 채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off)) 10pF 전류-누설 (IS (off)) (최대) 300nA 교차 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 패키지 / 케이스 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 16-QFN (3x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 스위치 회로 DPDT 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로 2:2 회로 수 2 온 상태 저항 (최대) 2.5Ohm 채널 대 채널 매칭 (ΔRon) 700mOhm 전압-공급, 단일 (V +) 1.65V ~ 4.3V 전압-공급, 이중 (V ±) - 스위치 시간 (Ton, Toff) (최대) 40ns, 30ns -3db 대역폭 280MHz 충전 주입 111pC 채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off)) 10pF 전류-누설 (IS (off)) (최대) 300nA 교차 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 패키지 / 케이스 16-WFQFN 공급자 장치 패키지 16-WQFN (1.8x2.6) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 스위치 회로 DPDT 멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로 2:2 회로 수 2 온 상태 저항 (최대) 2.5Ohm 채널 대 채널 매칭 (ΔRon) 700mOhm 전압-공급, 단일 (V +) 1.65V ~ 4.3V 전압-공급, 이중 (V ±) - 스위치 시간 (Ton, Toff) (최대) 40ns, 30ns -3db 대역폭 280MHz 충전 주입 111pC 채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off)) 10pF 전류-누설 (IS (off)) (최대) 300nA 교차 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 패키지 / 케이스 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 16-QFN (3x3) |
