NMSD200B01-7 데이터 시트
NMSD200B01-7 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 216.97 KB
Diodes Incorporated
웹 사이트: https://www.diodes.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
NMSD200B01-7
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 200mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-363 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |