NP50P03YDG-E1-AY 데이터 시트
NP50P03YDG-E1-AY 데이터 시트
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Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
NP50P03YDG-E1-AY
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3500pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta), 102W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-HSON 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
