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NRVB1035G 데이터 시트

NRVB1035G 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 107.26 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 5 부품 번호를 다룹니다.: NRVB1035G, MBR1035, MBR1045, MBR1035G, MBR1045G
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NRVB1035G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR1035

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR1045

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR1035G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

MBR1045G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C