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NRVBM120ET3G 데이터 시트

NRVBM120ET3G 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 174.87 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: NRVBM120ET3G, NRVBM120ET1G, MBRM120ET1G, MBRM120ET3G
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NRVBM120ET3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

595mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

NRVBM120ET1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

POWERMITE®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

595mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MBRM120ET1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MBRM120ET3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

Powermite

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C