NTHS5402T1 데이터 시트
NTHS5402T1 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 200.51 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
NTHS5402T1
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0001.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0002.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0003.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0004.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0005.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0006.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0007.webp)
![NTHS5402T1 데이터 시트 페이지 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/nths5402t1-0008.webp)
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.3W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 ChipFET™ 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead |